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J-GLOBAL ID：201702266892839347   整理番号：17A1444736

シリコンウエハ上の直接Microrolling処理【Powered by NICT】

Direct Microrolling Processing on a Silicon Wafer

著者 (8件)： Aoki Kanna (Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan) ,  Ishiguro Keita (Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan) ,  Denokami Masaki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan) ,  Tanahashi Yuya (Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan) ,  Furusawa Kentaro (Frontier Research Laboratory, National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo, 184-8795, Japan) ,  Sekine Norihiko (Frontier Research Laboratory, National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo, 184-8795, Japan) ,  Adschiri Tadafumi (World Premier International Research Center-Advanced Institute for Materials Research (WPI-AIMR), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan) ,  Fujii Minoru (Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 36  ページ： ROMBUNNO.201701630  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： が,Siは集積回路の基本材料であるため,ナノスケール製造技術ミクロの品種はシリコン(Si)処理のための発明し,精密化した,レイアウトはlayer-by-layerアプローチに基づく,を用いて,ウエハの平面表面(面外方向に沿った)に垂直に複雑な形状の三次元(3D)構造を実現するため困難である。,Si表面の薄層を曲げマイクロメータスケールでの種々の3D曲線構造にすることを可能にする新しい直接Si-プロセス技術を紹介した。曲げは陽極酸化を用いたSiウエハ表面をporosifying,通常のフォトリソグラフィーパターン形成とウェットエッチングを行うことで達成される。深さ方向の空隙率勾配は,自己回転作用はその後のパターン形成とウェットエッチングにより誘導される応力内在化された層を生じさせた。その後の酸化プロセスは,例えば,チューブの形成をもたらす,曲率変形を促進した。圧延方向は多孔質Si層の2次元パターン形成,構造動力学の観点から良く説明されるによって制御することができる。この技術はSi基板上の3D構造を実現するための能力の広い範囲を持ち,Siベースオンチップデバイスのための新しい設計の可能性を可能にした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 集積回路 ,  空隙率 ,  多孔質シリコン ,  フォトリソグラフィー ,  生産技術 ,  三次元 ,  二次元 ,  パターン形成 ,  曲率 ,  薄膜 ,  *ケイ素 ,  ウェットエッチング ,  アノード酸化
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 3D ,  微細加工 ,  多孔質シリコン層 ,  自己圧延 ,  構造動力学

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (1件)： シリコンウエハ