Aoki Kanna について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan について
Ishiguro Keita について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan について
Denokami Masaki について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan について
Tanahashi Yuya について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan について
Furusawa Kentaro について
Frontier Research Laboratory, National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo, 184-8795, Japan について
Sekine Norihiko について
Frontier Research Laboratory, National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo, 184-8795, Japan について
Adschiri Tadafumi について
World Premier International Research Center-Advanced Institute for Materials Research (WPI-AIMR), Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, 980-8577, Japan について
Fujii Minoru について
Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Kobe University, 1-1 Rokkodai, Nada, Kobe, Hyogo, 657-8501, Japan について
Small について
集積回路 について
空隙率 について
多孔質シリコン について
フォトリソグラフィー について
生産技術 について
三次元 について
二次元 について
パターン形成 について
曲率 について
薄膜 について
ケイ素 について
ウェットエッチング について
アノード酸化 について
ナノスケール について
シリコンウエハ について
3D について
微細加工 について
多孔質シリコン層 について
自己圧延 について
構造動力学 について
固体デバイス製造技術一般 について
シリコンウエハ について