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J-GLOBAL ID：201702266943316420   整理番号：17A0964177

高電力電磁パルスによるRFフロントエンドの低雑音増幅器の損傷のモデル化【Powered by NICT】

Damage Modeling of a Low-Noise Amplifier in an RF Front-End Induced by a High Power Electromagnetic Pulse

著者 (3件)： Baek Ji-Eun (Department of Electrical Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Cho Young-Maan (Department of Electrical Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Ko Kwang-Cheol (Department of Electrical Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Plasma Science  (IEEE Transactions on Plasma Science)
巻： 45  号： 5  ページ： 798-804  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0036B  ISSN： 0093-3813  CODEN： ITPSBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFフロントエンドは,高電力電磁(HPEM)パルスによって誘導される結合経路の非常に脆弱な部分である。既存の研究では,低雑音増幅器(LNA)は,しばしば破壊または損傷しているという実験またはシミュレーションで発見された,これはRFフロントエンドの機能不全を引き起こす。RFフロントエンドを保護するために,理論に基づくLNAの損傷過程を詳細に求められている。損傷プロセスを要約し,ユーザ定義要素を用いてLNAの損傷現象を記述する開発した新しいライブラリ。モデルは他の回路モデルと組み合わせることができる,高パワー電磁的(HPEM)パルスによるLNAの内部パラメータの変化を提供することができる。既存の物理的保護方法は,高コストと複雑さを有し,それが完全な保護を提供することは困難である。このように,提案したモデルは,回路モデルを利用した保護研究に貢献することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *低雑音増幅器 ,  *電磁パルス ,  *モデリング ,  回路モデル ,  *パルス ,  機能障害
準シソーラス用語： 損傷過程 ,  *RFフロントエンド ,  *高電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子管,放電管  (NC02020D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電力 ,  電磁パルス ,  RFフロントエンド ,  低雑音増幅器 ,  損傷 ,  モデル化