文献

J-GLOBAL ID：201702266945381329   整理番号：17A1617480

β-Ga₂O₃薄膜に基づく光検出器の厚み調整光電特性

Thickness Tuning Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃ Thin Film Based Photodetectors

著者 (8件)： AN Y.H. (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  ZHI Y.S. (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  CUI W. (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  ZHAO X.L. (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  WU Z.P. (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  GUO D.Y. (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  LI P.G. (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN) ,  TANG W.H. (Beijing Univ. Posts and Telecommunications, Beijing, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 12  ページ： 9091-9094  発行年： 2017年12月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波マグネトロンスパッタリング技術によってc面サファイア基板上にβ-Ga₂O₃薄膜(30nm~2μm)を蒸着した。得られた薄膜と特性をX線回折,走査電子顕微鏡(SEM)により調べた。薄膜は(<span style=text-decoration:overline>2</span>01)方向に配向し,膜が厚くなると粒度が大きくなった。厚みの異なるβ-Ga₂O₃薄膜を用いて,金属/半導体/金属構造の紫外検出器を作製し,電流電圧特性を調べた。薄膜の吸収ピークの青方偏移,バンドギャップの赤方偏移,低い暗電流などの光学的及び電気的特性は膜厚に依存した。膜厚が200nmのβ-Ga₂O₃薄膜に基づく紫外検出器は高い光応答,高速の立上り時間と立下り時間を示した。

シソーラス用語： *MSM構造 ,  *紫外検出器 ,  *電流電圧特性 ,  薄膜成長 ,  光電効果 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  酸化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  半導体材料
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  光電特性

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： β-Ga2O3 ,  薄膜 ,  光検出器 ,  厚み調整 ,  光電特性