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J-GLOBAL ID：201702266970528454   整理番号：17A1125367

Si上の超薄強誘電Hf_0 5Zr_0 5O_2膜を横切る電子輸送【Powered by NICT】

Electron transport across ultrathin ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂ films on Si

著者 (8件)： Chouprik A. (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskii lane, Dolgoprudny, 141700, Moscow region, Russia) ,  Chernikova A. (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskii lane, Dolgoprudny, 141700, Moscow region, Russia) ,  Markeev A. (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskii lane, Dolgoprudny, 141700, Moscow region, Russia) ,  Mikheev V. (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskii lane, Dolgoprudny, 141700, Moscow region, Russia) ,  Negrov D. (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskii lane, Dolgoprudny, 141700, Moscow region, Russia) ,  Spiridonov M. (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskii lane, Dolgoprudny, 141700, Moscow region, Russia) ,  Zarubin S. (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskii lane, Dolgoprudny, 141700, Moscow region, Russia) ,  Zenkevich A. (Moscow Institute of Physics and Technology, 9 Institutskii lane, Dolgoprudny, 141700, Moscow region, Russia)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 250-253  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,高度にドープしたSi基板上に直接原子層堆積(A LD)技術により成長させた超薄(2.5nm)強誘電体多結晶Hf_0 5Zr_0 5O_2(HZO)薄膜の電子輸送特性について報告する。TiN上部電極を有するデバイスについて,分極反転後HZO層を横切る3まで可逆的電気抵抗変化R↑/R↓実証した。HZO層,分極測定,HZO層上の電流横方向分布と同様に電子バンド構造のDFT計算の多結晶構造をもつ電気抵抗スイッチングを相関した。このような解析は,強誘電HZO結晶粒内部の分極反転はTiN/HZO/n~+(p~+ )Si素子における電流輸送に寄与することを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  多結晶 ,  分極反転 ,  薄膜 ,  *ケイ素 ,  密度汎関数法 ,  分極 ,  強誘電体 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 電流輸送 ,  抵抗スイッチング ,  電子バンド構造 ,  窒化チタン ,  輸送特性 ,  *電子輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 強誘電トンネル接合 ,  超薄強誘電体膜 ,  HfO_2~をベースにした強誘電体 ,  電子輸送

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  電子輸送