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J-GLOBAL ID：201702266973159857   整理番号：17A1646264

高マイクロ波性能とロバスト性のためのGaNH EMTにおけるバッファ配置の重要性【Powered by NICT】

Importance of buffer configuration in GaN HEMTs for high microwave performance and robustness

著者 (7件)： Pecheux R. (IEMN - CNRS, Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR8520 Av. Poincare ́, 59650 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Kabouche R. (IEMN - CNRS, Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR8520 Av. Poincare ́, 59650 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Dogmus E. (IEMN - CNRS, Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR8520 Av. Poincare ́, 59650 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Linge A. (IEMN - CNRS, Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR8520 Av. Poincare ́, 59650 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Okada E. (IEMN - CNRS, Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR8520 Av. Poincare ́, 59650 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Zegaoui M. (IEMN - CNRS, Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR8520 Av. Poincare ́, 59650 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Medjdoub F. (IEMN - CNRS, Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR8520 Av. Poincare ́, 59650 Villeneuve d’Ascq, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 228-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二種類のバッファ層を用いて超薄(サブ10nm障壁厚)AlN/GaNヘテロ構造の比較について報告する1)炭素ドープGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT),2)二重ヘテロ構造電界効果トランジスタ(DHFET)。炭素ドープしたHEMT構造は良好な電気特性を示し,1.3mmの最大ドレイン電流密度Id,500mS/mmの相互コンダクタンスGmと234GHzの最大発振周波数f_max220nmのゲート長を用いたことが観察された。高バイアス下で高い周波数性能と優れた電子閉込めと共に低トラッピング効果はV_ds30Vで40%に近い18GHz出力電力密度(P_out>6mm)と電力付加効率(PAE)で最先端の組合せを達成することができた。40GHzでは,まだかなり大きなゲート長にもかかわらず観察され,35%以上のPAE。鍵となる特徴は,炭素ドープH EMTの場合に種々の周波数で多くのロードプル掃引後安定のままであり,DHFETに比べて自己加熱の有意な減少に起因するμA/mmの十分の数の低いゲート漏れ電流である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マイクロ波 ,  バッファ層 ,  HEMT ,  周波数 ,  ドーピング ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  電力付加効率 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  電力密度 ,  ゲート長 ,  発振周波数 ,  ドレイン電流 ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： マイクロ波 ,  ロバスト性 ,  EMT ,  バッファ ,  重要性