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J-GLOBAL ID:201702267177330953   整理番号:17A0539904

Si上のウエハボンドGeの単一光子アバランシュフォトダイオードのGeigerモードの理論的研究

Geiger mode theoretical study of a wafer-bonded Ge on Si single-photon avalanche photodiode
著者 (8件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 055106,1-8  発行年: 2017年02月08日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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Ge/GeO2/Ge構造の単一光子アバランシュフォトダイオード(SPAD)のGeigerカウンタ類似の,250Kでの動作を理論的に研究する。この論文では,ウエハボンディングSi上Ge SPADは,Ge層中の貫通転位密度が低いために,暗電流が非常に小さくなることが分かった。暗係数率と量子効率とはGeO2層の親水性と厚みの影響を強く受けることを示す。結局ウエハボンディングSPADでは界面の性質が改善されるために可視から赤外に至る領域で良好な特性を示すことが分かった。
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 

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