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J-GLOBAL ID：201702267220307002   整理番号：17A1023927

極薄GeOI MOSFETにおける表面粗さ散乱制限された正孔移動度に及ぼす埋込み酸化物の影響の物理ベース評価【Powered by NICT】

Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFETs

著者 (10件)： Wang Xiaolei (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Xiang Jinjuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Han Kai (Weifang University, Weifang, China) ,  Wang Shengkai (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Luo Jun (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhao Chao (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Ye Tianchun (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Radamson Henry H. (KTH Royal Institute of Technology, Kista, Sweden) ,  Simoen Eddy (IMEC, Leuven, Belgium) ,  Wang Wenwu (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 6  ページ： 2611-2616  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,極薄ゲルマニウム・オン・インシュレータ(GeOI)MOSFETにおける表面粗さ散乱制限された正孔移動度(μ_SR)に及ぼす埋込み酸化物の影響を調べる数値シミュレーション研究を初めて提示した。シミュレーションは,チャネル/酸化物界面での波動関数侵入度と表面変動に及ぼす散乱行列要素の非線形依存性を考慮した。三種類埋込み酸化物材料を比較した(GeO_2,SiO_2,Si_3N_4)。μ_SRはSiO_2<GeO_2<Si_3N_4の順で増加した。埋込み酸化物材料にμ_SRのこの依存性は背面Ge/buried酸化物界面からの表面変動散乱に起因した。筆者らのシミュレーション結果は,Si_3N_4とGeO_2はGeOI MOSFETにおける移動度増倍のための埋め込み酸化膜,埋め込み酸化膜として従来SiO_2と比較して有益であることを示した。著者らの知見は,移動度特性をさらに改善する洞察を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *酸化物 ,  界面 ,  *MOSFET ,  *移動度 ,  絶縁材料 ,  波動関数 ,  *散乱 ,  侵入度 ,  チャネル ,  絶縁体
準シソーラス用語： 埋込み酸化膜 ,  数値シミュレーション ,  *正孔移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： MOSFET ,  表面粗さ ,  散乱 ,  制限 ,  正孔移動度 ,  埋込み ,  酸化物 ,  物理 ,  評価