Wang Xiaolei について
Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Xiang Jinjuan について
Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Han Kai について
Weifang University, Weifang, China について
Wang Shengkai について
Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Luo Jun について
Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Zhao Chao について
Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Ye Tianchun について
Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
Radamson Henry H. について
KTH Royal Institute of Technology, Kista, Sweden について
Simoen Eddy について
IMEC, Leuven, Belgium について
Wang Wenwu について
Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China について
IEEE Transactions on Electron Devices について
シミュレーション について
酸化物 について
界面 について
MOSFET について
移動度 について
絶縁材料 について
波動関数 について
散乱 について
侵入度 について
チャネル について
絶縁体 について
埋込み酸化膜 について
数値シミュレーション について
正孔移動度 について
トランジスタ について
MOSFET について
表面粗さ について
散乱 について
制限 について
正孔移動度 について
埋込み について
酸化物 について
物理 について
評価 について