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J-GLOBAL ID:201702267429751342   整理番号:17A0962938

量子ホール系の強磁場分光研究

著者 (4件):
資料名:
巻: 2016  ページ: 129-130  発行年: 2017年06月 
JST資料番号: X0986A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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高移動度CdTe二次元電子系を使い,強磁場を必要とする分散領域での磁気発光測定を行ため,磁気発光データを連続的に取り込み,磁場依存性を測定できるシステムを開発した。CdTe量子井戸試料の発光は,狭い井戸幅の試料に比べて,幅広の試料ではその磁場依存性に大きな違いが表れることが明らかになった。その原因は大まかには二次元電子系と励起された正孔の空間的距離に起因したものであると言えるが詳細に関しては今後の課題である。
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 
引用文献 (5件):
タイトルに関連する用語 (4件):
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