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J-GLOBAL ID：201702267527414735   整理番号：17A1550676

低温溶液処理したp型ガリウムすず酸化物(GTO)透明半導体薄膜の紫外線支援アニーリング【Powered by NICT】

Ultraviolet-assisted annealing for low-temperature solution-processed p-type gallium tin oxide (GTO) transparent semiconductor thin films

著者 (2件)： Tsay Chien-Yie (Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 40724, Taiwan) ,  Liang Shan-Chien (Department of Materials Science and Engineering, Feng Chia University, Taichung 40724, Taiwan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71  ページ： 441-446  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液処理したp型ガリウムスズ酸化物(GTO)の透明半導体薄膜を,従来の高温アニーリング(>500°C)の紫外(UV)支援アニーリングを用いて300°Cの低温で調製した。ゾル-ゲル法によるGTO薄膜の構造的,光学的および電気的性質に及ぼすUV照射時間の効果とUV支援焼鈍(UVA)と従来の熱アニール(CTA)GTO薄膜の物理的性質の比較研究を報告した。Gaドーピング量が前駆体溶液([Ga]/[Sn]+[Ga]=15%)における15at%に固定した。スピンコーティングと予熱手順を二回行った後,乾燥ゾル-ゲル膜は,1~4時間のUV光照射下で300°Cでホットプレート上で加熱した。各UVA GTO薄膜は緻密な微細構造と平坦な自由表面を持ち,85.0%に近い平均光透過率を示した。GTO薄膜の結晶性,微結晶サイズ,および正孔濃度密度のレベルはUV照射時間の増加と共に増加した。本研究では,UVA4H薄膜試料は最高の正孔濃度(9.87 × 10~17 cm~ 3)および最低の抵抗率(1.8Ωcm)を示し,5.1cm~/Vsの正孔移動度を有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化スズ ,  微細構造 ,  *ガリウム ,  電気的性質 ,  *半導体薄膜 ,  *低温 ,  紫外線照射 ,  ゾル-ゲル法 ,  電気抵抗率 ,  *焼なまし ,  スピンコーティング ,  *薄膜
準シソーラス用語： 正孔濃度 ,  光透過率 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： P型酸化物半導体 ,  ガリウムすず酸化物 ,  ゾル-ゲルスピンコーティング ,  UV光照射 ,  電気的性質

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  溶液処理 ,  ガリウム ,  すず酸化物 ,  GTO ,  半導体薄膜 ,  紫外線 ,  支援 ,  アニーリング