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J-GLOBAL ID：201702267656860429   整理番号：17A0403872

ジisopropylaminosilaneとオゾンを用いたSiO_2薄膜の低温原子層堆積【Powered by NICT】

Low temperature atomic layer deposition of SiO₂ thin films using di-isopropylaminosilane and ozone

著者 (5件)： Lee Young-Soo (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Republic of Korea) ,  Choi Dong-won (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Republic of Korea) ,  Shong Bonggeun (Department of Chemistry, Chungnam National University, 99 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34134, Republic of Korea) ,  Oh Saeroonter (Division of Electrical Engineering, Hanyang University, Ansan, Gyeonggi-do 15588, Republic of Korea) ,  Park Jin-Seong (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222 Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Republic of Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 2  ページ： 2095-2099  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二酸化ケイ素(SiO_2)膜を反応物としてSi前駆体とオゾンとしてジisopropylaminosilane(SiH_3N(C_3H_7)2,DIPAS)を用いて100から200°Cの低温で原子層堆積(A LD)により堆積した。SiO_2膜は飽和成長挙動A LDプロセスを確認を示し,150°Cで1.2Å/サイクルの成長速度,250°Cで2.3Å/サイクルに増加することを示した。100 200°Cの温度範囲から抽出した0.24eVの活性化エネルギーはDIPASと表面-OH間の反応のための報告されたエネルギー障壁に対応している。成長速度の温度依存性は,表面上の熱的に活性化した前駆体の被覆率と化学反応性の観点から説明することができる。200°Cで堆積したA LD SiO_2膜は従来通りに堆積したSiO_2,低漏れ電流と高絶縁破壊電場に匹敵する屈折率,密度,及び粗さのような特性を示した。Si-O結合の割合はより高い堆積温度でSi-OHを犠牲にして増加した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 屈折率 ,  二酸化ケイ素 ,  漏れ電流 ,  成長速度 ,  温度依存性 ,  絶縁破壊 ,  *低温 ,  被覆率 ,  *ケイ素 ,  電場 ,  活性化エネルギー ,  反応性 ,  *オゾン
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二酸化けい素 ,  原子層堆積 ,  低温度 ,  DIPAS

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： オゾン ,  薄膜 ,  低温 ,  原子層堆積