文献

J-GLOBAL ID：201702267751754006   整理番号：17A0556812

触媒反応を用いた超省エネルギーCVD技術

著者 (1件)： 安井寛治 (長岡技科大)
資料名： 化学工業  (Chemical Industry)
巻： 68  号： 5  ページ： 352-357  発行年： 2017年05月01日 
JST資料番号： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 触媒反応を用いた超省エネルギーCVD技術を次の項目に分類して紹介する。1)CVD技術に用いられる触媒反応,2)触媒反応を用いたCVD装置とGaN,ZnO結晶膜の作製条件,3)触媒反応支援CVD法によるGaN,ZnO薄膜の成長,4)X線回折パターン,電子移動度,電子密度などGaN膜とZnO膜の特性。本CVD法はルテニウムや白金触媒表面での原料ガスの自己発熱反応により生成した高エネルギー窒素源,酸素源を用いて作製した高エネルギープリカーサを結晶成長に利用する手法であり,低温で高品質な金属窒化物・酸化物薄膜を作製できる省エネルギーに優れたCVD技術である。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  触媒反応 ,  省エネルギー ,  薄膜成長 ,  *窒化ガリウム ,  *酸化亜鉛 ,  ルテニウム触媒 ,  白金触媒 ,  結晶成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 触媒反応 ,  省エネルギー ,  CVD