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J-GLOBAL ID：201702267780034962   整理番号：17A1555092

スルーシリコンビア電気めっき銅の性質に及ぼすアニーリング過程の影響【Powered by NICT】

Effect of annealing process on the properties of through-silicon-via electroplating copper

著者 (6件)： Guan Yong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Zeng Qinghua (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Chen Jing (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, China) ,  Meng Wei (Shenzhen Graduate School, Peking University, 518055, China) ,  Jin Yufeng (Shenzhen Graduate School, Peking University, 518055, China) ,  Ma Shenglin (Department of Mechanical & Electrical Engineering, Xiamen University, Fujian, 361005, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 139-142  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコン貫通ビア電気めっき銅の性質とミクロ組織の変化に及ぼすアニーリングプロセスの影響に焦点を当てた。インターポーザ関連シリコン貫通ビア応用,20μm以上の直径による最終プロセスにより作製したに特に注意を払った。インターポーザは直径100μm,深さ300μmの設計・製作した。試料のグループは,アニーリング処理を行わないし,残りの三群は,100°C,200°Cと300°Cでアニールし,各アニーリング時間は窒素雰囲気下で3時間であった。研削・研磨技術によるシリコン貫通ビアの断面積,走査電子顕微鏡で観察し,特性化を観察した。研削・研磨プロセス後,スクラッチと損傷層を除去するための振動研磨とSiO_2研磨溶液を使用することがきわめて重要である。また粒径分布と方位を電子後方散乱回折法で観察した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 粒度分布 ,  研削 ,  キャラクタリゼーション ,  *焼なまし ,  研磨 ,  *電気めっき ,  断面積 ,  *銅 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： EBSD ,  振動研磨 ,  スクラッチ ,  窒素雰囲気 ,  インターポーザ ,  *シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： プリント回路  (NA05040O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： スルーシリコンビア ,  電気めっき ,  銅 ,  性質 ,  アニーリング ,  過程