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J-GLOBAL ID：201702267814542535   整理番号：17A1391785

圧力接触を用いたSiC Schottkyダイオードの評価【Powered by NICT】

Evaluation of SiC Schottky Diodes Using Pressure Contacts

著者 (8件)： Ortiz Gonzalez Jose (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.) ,  Alatise Olayiwola (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.) ,  Aliyu Attahir Murtala (Power Electronics, Machines and Control Group, University of Nottingham, Nottingham, U.K.) ,  Rajaguru Pushparajah (Computational Mechanics and Reliability Group, University of Greenwich, London, U.K.) ,  Castellazzi Alberto (Power Electronics, Machines and Control Group, University of Nottingham, Nottingham, U.K.) ,  Ran Li (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.) ,  Mawby Philip A. (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.) ,  Bailey Chris (Computational Mechanics and Reliability Group, University of Greenwich, London, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 64  号： 10  ページ： 8213-8223  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーデバイス・モジュールの熱機械的信頼性はますます高出力応用のための特に関心になってきている,パワーサイクル性能が重要である。平形集合体は伝統的にFACTS/HVDCにおける高出力サイリスタベース応用のための使用されてきた信頼できる信頼性のある包装解決策である,プレスパックIGBTが最近市販されるようになっている。これらプレスパックIGBTは逆伝導能を可能にするための反平行PiNダイオードを必要とする。これら高出力応用において,高電流伝導能力のためのチップが必要である並列,電流共有中の電熱安定性は重要である。SiC SchottkyダイオードはシリコンPiNダイオードに比べて広いバンドギャップ技術の利点を示したが,それらは有意に低い零温度係数(ZTC)を有し,それらはより電熱安定意味した。PiNダイオードのバイポーラ性質とは対照的に低いZTCはSiC Schottkyダイオードの単極性質によるものであった。圧接形集合体中のSiC Schottkyダイオードの実装と信頼性を調べた。並列デバイスの電熱安定性に及ぼす圧力損失の影響を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  凝集体 ,  信頼性 ,  温度係数 ,  FACTS ,  *炭化ケイ素 ,  電流 ,  *ダイオード ,  電気加熱 ,  IGBT
準シソーラス用語： 逆伝導 ,  HVDC ,  パワーサイクル ,  高出力 ,  パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  Schottkyダイオード ,  評価