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J-GLOBAL ID：201702267818024301   整理番号：17A1358102

シングルチップ三次元電界マイクロセンサの設計,製作と特性化【Powered by NICT】

Design, fabrication and characterization of a single-chip three-dimensional electric field microsensor

著者 (7件)： Ling Biyun (State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wang Yu (State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Peng Chunrong (State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Li Bing (State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Chu Zhaozhi (State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Li Bin (State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Xia Shanhong (State Key Laboratory of Transducer Technology, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NEMS  ページ： 307-310  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小型,高集積化の利点を有する単一チップ三次元(3D)電場マイクロセンサを提案した。三直交センサ軸をワンチップ,一つのセンシング要素は,中間のZ軸静電場成分を検出することであるのに配置し,二対のセンシング要素の同じ構造と十字状X軸とY軸静電場成分を測定するための配置に設計されている。面内回転機構とストリップ電極設計を採用した。マイクロセンサをMetalMUMPSプロセスで作製した。実験結果は,提案したマイクロセンサは5.5%以内で直線性誤差と0~50kV/mの範囲で14.0%以下の静電場測定誤差を持つことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *センサ ,  *キャラクタリゼーション ,  静電場 ,  *三次元 ,  線形性 ,  電場 ,  測定誤差 ,  直交性 ,  帯板
準シソーラス用語： 電極設計 ,  回転機構 ,  高集積化 ,  *マイクロセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界 ,  マイクロセンサ ,  設計 ,  製作 ,  特性化