文献

J-GLOBAL ID：201702267954588062   整理番号：17A1256459

素子回路加齢相関を確立するための広帯域CMOS RF電力増幅器の設計【Powered by NICT】

Design of a Broadband CMOS RF Power Amplifier to establish device-circuit aging correlations

著者 (7件)： Barajas E. (Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Polite`cnica de Catalunya (UPC), Campus Nord, Edifici C4, 08034, Barcelona (Spain)) ,  Mateo D. (Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Polite`cnica de Catalunya (UPC), Campus Nord, Edifici C4, 08034, Barcelona (Spain)) ,  Aragones X. (Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Polite`cnica de Catalunya (UPC), Campus Nord, Edifici C4, 08034, Barcelona (Spain)) ,  Crespo-Yepes A. (Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Auto`noma de Barcelona (UAB), Edifici Q, 08193 Bellaterra, (Spain)) ,  Rodriguez R. (Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Auto`noma de Barcelona (UAB), Edifici Q, 08193 Bellaterra, (Spain)) ,  Martin-Martinez J. (Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Auto`noma de Barcelona (UAB), Edifici Q, 08193 Bellaterra, (Spain)) ,  Nafria M. (Dept. Enginyeria Electro`nica, Universitat Auto`noma de Barcelona (UAB), Edifici Q, 08193 Bellaterra, (Spain))
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMTS  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広帯域CMOS RF電力増幅器の設計を示し,回路レベルでストレス回路とデバイスレベルで測定できる可能性がするのに適している。回路のRF性能の劣化とその個々のデバイスパラメータの間の関係を確立することを認めた。試験構造,測定装置と手順を詳細に記述した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 計測器 ,  *広帯域 ,  *CMOS ,  *電力増幅器

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 加齢 ,  相関 ,  広帯域 ,  CMOS ,  RF ,  電力増幅器 ,  設計