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J-GLOBAL ID：201702268037454404   整理番号：17A0132735

原子層堆積法(ALD)で成膜したAl₂O₃薄膜における局在欠陥状態と電荷捕獲

Localized defect states and charge trapping in atomic layer deposited-Al₂O₃ films

著者 (3件)： Henkel Karsten (BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany) ,  Kot Malgorzata (BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany) ,  Schmeisser Dieter (BTU Cottbus-Senftenberg, Applied Physics and Sensors, Konrad-Wachsmann-Allee 17, 03046 Cottbus, Germany)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01B125-01B125-18  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,同じアルミニウム前駆体を用いて異なる基板上に,原子層堆積法(ALD)で成長させたAl₂O₃膜を比較した。熱式ALDとプラズマ支援ALD,280°Cから室温までの範囲の基板温度,などの異なるプロセスパラメータを採用した。共鳴光電子分光法および電気的測定により,これらの薄膜の特性評価を行った。ALDによるAl₂O₃膜は,一般的にバルクのAl₂O₃の性質を示すことを確認した。電子バンドギャップ内に内在欠陥状態を見出し,それらがエキシトン,ポーラロン,電荷移動欠陥状態であると明らかにした。これらの内在欠陥を説明する原子論的モデルを提案し,それらの相対的存在比はALDパラメータと使用する基板との選択に依存することを見出した。分光学的に割り当てたギャップ内欠陥状態を,電気的測定で定めた電子電荷と結びつけることが可能である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *酸化アルミニウム ,  *キャリア捕獲 ,  *前駆体 ,  プラズマCVD ,  基板温度 ,  プロセスパラメータ ,  光電子分光法 ,  バンドギャップ ,  *欠陥準位 ,  励起子 ,  ポーラロン ,  電荷移動 ,  モデル
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  電荷捕獲 ,  共鳴光電子分光法 ,  原子論的モデル

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積法 ,  ALD ,  成膜 ,  Al2O3 ,  薄膜 ,  欠陥状態 ,  電荷捕獲