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J-GLOBAL ID：201702268056711331   整理番号：17A1705411

40nm nMOSFETの低周波雑音に及ぼすボディバイアスと温度の影響【Powered by NICT】

Effect of body bias and temperature on low-frequency noise in 40-nm nMOSFETs

著者 (6件)： Chiu Hsien-Chin (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Chou Min-Li (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Cheng Chun-Hu (Department of Mechatronic Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan) ,  Kao Hsuan-Ling (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Kao Hsuan-Ling (Department of Dermatology, Chang Gung Memorial Hospital, Linkou Branches, Taiwan) ,  Cho Cheng-Lin (Dept. of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsin-Chu, Taiwan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 78  ページ： 267-271  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,40nm nMOSFETのドレイン電流フリッカ雑音(1/f)に及ぼす温度と基板バイアスの影響を調べた。1/f雑音は,移動度ゆらぎと相関電荷数変動に起因している。300Kでは,空乏層幅が減少すると,1/f雑音は弱い反転における 0.5+0.5Vの基板バイアスと共に減少した;逆に,1/f雑音は,強い反転状態に無視空乏電荷の静電容量のため,ボディバイアスには依存しなかった。温度が150K以下の場合,ドレイン電圧はバンド端に向かってFermi準位,より高いトラップ密度を,サブしきい値スイングの逆二乗に対応のために低い場合に1/f雑音は増加した。しかし,ドレイン電圧が高い場合,150Kで広い強反転領域は低1/f雑音とわずかな効果をもたらしたため,移動度ゆらぎによって支配されていた1/f雑音。40nmデバイスにおけるこの挙動の解析は,最適デバイス作製法と回路設計を決定する上で助けとなるかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *低周波雑音 ,  回路設計 ,  移動度 ,  ゆらぎ ,  静電容量 ,  Fermi準位 ,  空乏層 ,  電荷 ,  1/f雑音
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  トラップ密度 ,  ドレイン電圧 ,  ドレイン電流 ,  *基板バイアス ,  *nMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フリッカ雑音 ,  ボディ効果 ,  温度効果 ,  nMOSFETs

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： nMOSFET ,  低周波雑音 ,  ボディバイアス