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J-GLOBAL ID：201702268221264163   整理番号：17A1439150

二層金属-絶縁体-金属コンデンサのための電界に依存するMaxwell-Wagner界面静電容量のモデル化【Powered by NICT】

Modeling of field dependent Maxwell-Wagner interfacial capacitance for bilayer metal-insulator-metal capacitors

著者 (2件)： Kannadassan D. (VIT University, Vellore 15, India) ,  Mallick P. S. (VIT University, Vellore 15, India)
資料名： Microwave and Optical Technology Letters  (Microwave and Optical Technology Letters)
巻： 59  号： 12  ページ： 2965-2970  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0712A  ISSN： 0895-2477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らは二層金属-絶縁体-金属(MIM)キャパシタの電場依存Maxwell-Wagner界面静電容量のモデル化を提案した。モデルを作製した二層Al_2O_3/TiO_2MIMキャパシタの測定した容量-電圧特性で検証した。モデルを低周波数(<10 kHz)でMIMキャパシタの電圧直線性の起源を明らかにした。2分子層/多分子層MIMキャパシタのために提案されたモデルは,電圧の変化のための静電容量の低変動と混合信号,アナログおよびディジタル回路の設計回路に非常に有用なツールである。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  電圧 ,  *電場 ,  *絶縁体 ,  線形性 ,  *界面 ,  LF【周波数】 ,  *コンデンサ ,  二分子層 ,  *静電容量 ,  ディジタル回路
準シソーラス用語： 混合信号 ,  MIMキャパシタ ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 陽極酸化 ,  周波数依存静電容量 ,  高k ,  MIMキャパシタ ,  電圧直線性

分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二層 ,  絶縁体 ,  コンデンサ ,  電界 ,  界面 ,  静電容量 ,  モデル化