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J-GLOBAL ID：201702268249777825   整理番号：17A1271077

DLTSと低周波雑音分光法によるDUWELL構造InAs/InGaAs/GaAsのバンド構造特徴の研究【Powered by NICT】

Investigation of band diagram features of the DUWELL-structure InAs/InGaAs/GaAs by DLTS and low-frequency noise spectroscopy

著者 (3件)： Litvinov V. G. (Department of micro- and nanoelectronics, Ryazan State Radio Engineering University (RSREU), Russian Federation) ,  Ermachikhin A. V. (Department of micro- and nanoelectronics, Ryazan State Radio Engineering University (RSREU), Russian Federation) ,  Kusakin D. S. (Department of micro- and nanoelectronics, Ryazan State Radio Engineering University (RSREU), Russian Federation)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICNF  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低周波雑音分光法とDLTSによる1.3μmの波長でストライプレーザをつくるようにデザインされた量子ドットInAsの10層のDUWELL構造における電子準位のエネルギースペクトル研究の結果を提示した。量子ドットの層における正孔の基底状態の活性化エネルギー480meVは低周波雑音のパワースペクトル密度の温度依存性から決定した。低周波雑音とDLTSの分光法によって得られた実験結果の間の一致が観察された。得られたデータは,デバイス品質を持つDUWELL InAs/InGaAs/GaAs構造のエネルギーバンドダイアグラム構造を明らかにするために使用した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基底状態 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  品質 ,  量子ドット ,  *深準位過渡分光法 ,  活性化エネルギー ,  *ヒ化ガリウム ,  エネルギー分布 ,  *低周波雑音 ,  パワースペクトル密度 ,  *バンド構造 ,  正孔 ,  *ヒ化インジウム ,  温度依存性 ,  波長

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (9件)： DLTS ,  低周波雑音 ,  分光法 ,  InAs ,  InGaAs ,  GaAs ,  バンド ,  構造特徴 ,  研究