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J-GLOBAL ID：201702268317499274   整理番号：17A0524800

希土類元素含有四成分ホイスラー化合物の高分散性スピンギャップレス半導体

Highly-dispersive spin gapless semiconductors in rare-earth-element contained quaternary Heusler compounds

著者 (6件)： XU Guizhou (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  YOU Yurong (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  GONG Yuanyuan (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  LIU Er (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  XU Feng (Nanjing Univ. Sci. and Technol., Nanjing, CHN) ,  WANG Wenhong (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 10  ページ： 105003,1-6  発行年： 2017年03月15日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピンギャップレス半導体(SGS)のゼロギャップバンドにおける高移動度電子の取得は,スピントロニクス素子への実用的応用にとって重要である。本研究では,ホイスラー化合物に希土類元素を取入れた高分散バンドを設計した。第一原理計算により,LiMgPdSn型四元ホイスラー合金(Y,La,Lu)/FeMn(Al,Ga)における幾つかの新しいSGSを提案した。SGSに対して筆者らが以前提案した電子規則に従って組成を選んだ。殆ど全ての試料が少数スピン方向に大きなバンドギャップを示した。希土類元素の取込みはFermi準位を横断するバンドのsp成分を高められる。

シソーラス用語： *半導体 ,  *バンドギャップ ,  *ホイスラー合金 ,  希土類元素 ,  移動度 ,  格子定数 ,  状態密度
準シソーラス用語： *スピンギャップレス半導体 ,  ゼロギャップ半導体 ,  四元合金

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 希土類元素 ,  ホイスラー化合物 ,  分散性 ,  スピン ,  ギャップレス