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J-GLOBAL ID：201702268340171092   整理番号：17A1501857

歪み工学による制御された単分子層ReSe_2におけるカチオン欠陥に誘起された磁性【Powered by NICT】

Magnetism induced by cationic defect in monolayer ReSe₂ controlled by strain engineering

著者 (7件)： Meng M. (School of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, Henan 466001, PR China) ,  Shi C.G. (College of Chemistry and Chemical Engineering, Nantong University, Nantong 226019, PR China) ,  Li T. (College of Electronic Engineering, Guangxi Normal University, Guilin 541004, PR China) ,  Shi S.E. (School of Physics and Telecommunication Engineering, Zhoukou Normal University, Zhoukou, Henan 466001, PR China) ,  Shi S.E. (College of Electronic Engineering, Guangxi Normal University, Guilin 541004, PR China) ,  Li T.H. (College of Electronic Engineering, Guangxi Normal University, Guilin 541004, PR China) ,  Liu L.Z. (Microstructures, National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 425  ページ： 696-701  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁性の形成と調節はスピントロニクスへの応用の可能性のため多くの注目を集めている。外部歪下でカチオン性欠陥を持つReSe_2の磁気的性質と電子構造を密度汎関数理論に基づいて理論的に決定した。外部歪により誘起された引張変形は欠陥生成エネルギーの変化をもたらすだけでなく,磁気特性を調節する。しかし,外部歪により誘起された圧縮変形が増加すると,カチオン性欠陥を持つ構造における磁性は急激に消滅するであろう。アニオン欠陥は,所望の磁性への上昇を与えることができないことに注目することは興味深い。この発見は,その磁性を実現するために特に変形を伴うReSe_2単分子層へのアニオン欠陥を構築する方法を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁性 ,  密度汎関数法 ,  アニオン ,  スピントロニクス ,  引張変形 ,  *単分子層 ,  磁気的性質 ,  *カチオン ,  電子構造 ,  圧縮変形
準シソーラス用語： 形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 磁性 ,  第一原理計算 ,  単分子層ReSe_2

分類 (5件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 歪み ,  工学 ,  単分子層 ,  カチオン ,  欠陥 ,  誘起 ,  磁性