文献

J-GLOBAL ID：201702268409754831   整理番号：17A1646230

非バリスティックSchottky障壁CNTFETのための解析的ドレイン電流モデル【Powered by NICT】

Analytical drain current model for non-ballistic Schottky-Barrier CNTFETs

著者 (3件)： Bejenari Igor (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Department of Electrical and Computer Engineering, Technische Universitat Dresden, 01062 Dresden, Germany) ,  Schroter Michael (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Department of Electrical and Computer Engineering, Technische Universitat Dresden, 01062 Dresden, Germany) ,  Claus Martin (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Department of Electrical and Computer Engineering, Technische Universitat Dresden, 01062 Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ESSDERC  ページ： 90-93  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WKB近似に基づく新しい解析静的ドレイン電流モデルはSchottky障壁CNTFETのために開発した。チャネルにおける音響及び光学フォノンによる電子散乱を考慮した。Fermi-Dirac分布関数と透過確率の簡単な近似を用いて,Landauer-Buettiker形式におけるドレイン電流の解析的表現が得られた。これは既存のモデルの限界を克服し,アナログ応用に必要な高バイアス電圧へのそれらの適用性を拡張することを可能にした。モデルの結果は実験データと良く一致した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *モデル ,  分布関数 ,  電子散乱 ,  音響 ,  適応性 ,  近似法 ,  チャネル ,  アナログ系
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  解析表現 ,  光学フォノン ,  *ドレイン電流 ,  *CNTFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： バリ ,  スティック ,  Schottky障壁 ,  CNTFET ,  解析 ,  ドレイン電流 ,  モデル