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J-GLOBAL ID：201702268431682288   整理番号：17A0557595

系統的Alドーピング上のエピタキシャルZnO薄膜の金属伝導度の進化

Evolution of Metallic Conductivity in Epitaxial ZnO Thin Films on Systematic Al Doping

著者 (18件)： CHINTA P.V. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHINTA P.V. (Univ. Houston, TX, USA) ,  LOZANO O. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LOZANO O. (Univ. Houston, TX, USA) ,  WADEKAR P.V. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  WADEKAR P.V. (Univ. Houston, TX, USA) ,  HSIEH W.C. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SEO H.W. (Jeju National Univ., Jeju-Si, KOR) ,  YEH S.W. (National Kaohsiung Univ. Applied Sci. and Technol., Kaohsiung, TWN) ,  LIAO C.H. (Military Acad., Kaohsiung, TWN) ,  TU L.W. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  HO N.J. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  ZHANG Y.S. (Univ. Houston, TX, USA) ,  PANG W.Y. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LO Ikai (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Q.Y. (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Q.Y. (Univ. Houston, TX, USA) ,  CHU W.K. (Univ. Houston, TX, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 4  ページ： 2030-2039  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOとAlターゲットの同時スパッタリングで成長したZn_1-xAl_xO(x=2%,3%および10%)において,金属様の挙動および金属-半導体遷移(MST)を観察した。Alドーパントの濃度がFermiエネルギー位置を規定し,それによりMST温度が決まる単純な縮退バンドモデルにより,金属様の挙動を説明した。支配的な非弾性過程が低効率の増加につながる経験的アプローチを用いて,弱い局在状態にあるシステムに照らしてMSTを分析した。AlドープZnO膜の光吸収測定は,伝導帯の非放物線性を考慮すると,ドーピングを伴うバンドギャップシフトがBurstein-Moss挙動に従うことを示した。ドーピングを伴う伝導帯の非放物線性と一致するプラズマエッジの解釈は,この非放物線性は,高濃度ドーピングを伴う有効質量の変化によるものであった。

シソーラス用語： *薄膜 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  金属 ,  半導体 ,  状態 ,  Fermi準位 ,  縮退 ,  *比率
準シソーラス用語： *Al ,  Fermiエネルギー ,  *ZnO薄膜 ,  *エピタキシャル膜 ,  遷移 ,  *伝導度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 系統 ,  Al ,  ドーピング ,  エピタキシャル ,  ZnO薄膜 ,  伝導度 ,  進化