コンパクトセル構造で実現した垂直MTJを用いた4Gビット密度STT-MRAM【Powered by NICT】

Chung S.-W.; Kishi T.; Park J. W.; Yoshikawa M.; Park K. S.; Nagase T.; Sunouchi K.; Kanaya H.; Kim G. C.; Noma K.; Lee M. S.; Yamamoto A.; Rho K. M.; Tsuchida K.; Chung S. J.; Yi J. Y.; Kim H. S.; Chun Y.S.; Oyamatsu H.; Hong S. J.

文献

J-GLOBAL ID：201702268438513340 整理番号：17A0214304

コンパクトセル構造で実現した垂直MTJを用いた4Gビット密度STT-MRAM【Powered by NICT】

4Gbit density STT-MRAM using perpendicular MTJ realized with compact cell structure

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資料名：
巻： 2016 号： IEDM ページ： 27.1.1-27.1.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

初めて,コンパクトセルにおける垂直MTJを用いた4Gビット密度STT-MRAMは抵抗と磁気特性に対する厳密な分布により実証することに成功した。寄生抵抗制御プロセス,MTJプロセス,MTJスタック工学に関する結果を含んでいる。成功した4GB読取と書込操作の両方が高いTMR,低Icを用いて行った。この結果は,高密度STT-MRAMの展望を明るくするであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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半導体集積回路 , 磁性材料

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