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J-GLOBAL ID：201702268497009258   整理番号：17A0210943

4元化合物のIn_0.05Al_0.75Ga_0.2Nから成るショットキー障壁層を有するGaN-HEMT

GaN HEMTs with quaternary In_0.05Al_0.75Ga_0.2N Schottky barrier layer

著者 (5件)： Hwang Ji Hyun (School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Kim Se-Mi (School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Woo Jeong Min (School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Hong Sung-Min (School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Jang Jae-Hyung (School of Information and Communications, Gwangju Institute of Science and Technology, 123 Cheomdan-gwagiro (Oryong-dong), Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 213  号： 4  ページ： 889-892  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaN高電子移動度トランジスター(HEMT)に4元化合物のInAlGaNから成るショットキー障壁層を採用した。高速電子デバイスへの応用の可能性を探るために,4元化合物のInAlGaNから成るショットキー障壁層を有するGaN-HEMTを製造し,その特性を評価した。作製したデバイスの最大ドレイン電流密度は1.8Amm^-1,最大トランスコンダクタンスは557mSmm^-1,オン/オフ電流比は10⁵より大きく,サブスレッショウルドスイング(S.S.)は140mV/decade,ゲート型ダイオードのリーク電流は1.2mAmm^-1であることが分かった。長さが100nmのゲートフットプリントを持つデバイスでは,同じバイアス条件(V_DS=8VそしてV_GS=-2.2V)で,102GHzの電流利得カットオフ周波数(f_T)と130GHzの最大発振周波数(f_max)が導出され,L_g・f_T積が10.2GHz・μmであることが分かった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *Schottky障壁 ,  *窒化物 ,  *インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  電流 ,  電流密度 ,  相互コンダクタンス ,  比率 ,  漏れ電流 ,  遮断周波数 ,  利得 ,  周波数
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  トランスコンダクタンス ,  オンオフ比 ,  カットオフ周波数 ,  電流利得 ,  発振周波数

著者キーワード (5件)： GaN ,  heterostructures ,  high electron mobility transistors ,  InAlGaN ,  Schottky barriers

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ショットキー障壁 ,  GaN ,  HEMT