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J-GLOBAL ID：201702268564649368   整理番号：17A0965718

記憶過程におけるシリコンエッチプロセスの研究【Powered by NICT】

A study of silicon etch process in memory process

著者 (3件)： Rong-Yao Chang (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, China 201203) ,  Yi-Ying Zhang (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, China 201203) ,  Hai-Yang Zhang (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., Pudong New Area, Shanghai, China 201203)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターンCD(Critical Dimension)の収縮により,パターン崩壊,マイクロ負荷効果とシリコンへの二酸化けい素の選択性はSTI(シャロートレンチアイソレーション)パターン形成におけるより挑戦的になる。パターン崩壊はマイクロ負荷効果に密接に関連している。SiO_2選択性へのSiを向上させ,マイクロ負荷効果を抑制するために,バイアスRFパルスとサイクルエッチングが使用されている[1]。本論文では,シリコンエッチプロセスにおけるマイクロ負荷効果とバイアスRFパルス関数に及ぼす空間CD差の影響を検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  バイアス ,  二酸化ケイ素 ,  パターン形成
準シソーラス用語： シャロートレンチアイソレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 過程 ,  研究