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J-GLOBAL ID：201702268609575807   整理番号：17A1250314

順方向電流に及ぼす酸化後窒化の影響 SiO_2で保護された4H SiCメサp-nダイオードにおける電圧特性【Powered by NICT】

Effect of Postoxidation Nitridation on Forward Current-Voltage Characteristics in 4H-SiC Mesa p-n Diodes Passivated With SiO₂

著者 (3件)： Asada Satoshi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Kimoto Tsunenobu (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Suda Jun (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 7  ページ： 3016-3018  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCメサp-nダイオードの短絡電流,順方向電流 電圧(I - V)特性におけるレッジの起源を,各種表面不動態化プロセスを採用することにより調べた。実験結果はシャント電流経路は,メサ側壁に沿って位置し,短絡電流はNOアニーリング時間と温度の増加に伴って拡大することを示した。これらの結果に基づいて,著者らは,酸化後窒化により形成されるSiC/SiO2_2界面近傍の窒素に関係した正電荷はメサ側壁に沿って拡散電位のバンドの曲がりと低下を誘導し,短絡電流の発生をもたらすことを定性的に説明する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *ダイオード ,  *電圧 ,  *電流 ,  *炭化ケイ素 ,  液間電位 ,  *酸化 ,  *窒化 ,  窒素 ,  短絡電流
準シソーラス用語： 正電荷 ,  電流経路 ,  表面不動態化 ,  *電圧プロフィル ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 順 ,  酸化 ,  窒化 ,  SiC ,  ダイオード ,  電圧特性