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J-GLOBAL ID：201702268609831762   整理番号：17A1620652

GaNのSchottky障壁内のホッピング伝導と誘電緩和

Hopping Conductivity and Dielectric Relaxation in Schottky Barriers on GaN

著者 (9件)： BOCHKAREVA N. I. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  VORONENKOV V. V. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  GORBUNOV R. I. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  VIRKO M. V. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  KOGOTKOV V. S. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  LEONIDOV A. A. (Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS) ,  VORONTSOV-VELYAMINOV P. N. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  SHEREMET I. A. (Financial Univ. under the Government of the Russian Federation, Moscow, RUS) ,  SHRETER Yu. G. (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 9  ページ： 1186-1193  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNのSchottky障壁の空乏層を横切る電子のトンネリングにおけるトラップの影響を考察した。特に前方バイアスの下における伝導率と誘電緩和時間に対するそれらの効果を解析し,ダイオードのI-V,C-V特性におけるこの電子輸送機構特有の現象を明らかにした。

シソーラス用語： *空乏層 ,  *窒化ガリウム ,  *Schottky障壁 ,  *ホッピング伝導 ,  *誘電緩和 ,  化合物半導体 ,  トンネル効果 ,  電子 ,  捕獲 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： トラップ【固体】 ,  電子トンネリング

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  Schottky障壁 ,  ホッピング伝導 ,  誘電緩和