BOCHKAREVA N. I. について
Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS について
VORONENKOV V. V. について
Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS について
GORBUNOV R. I. について
Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS について
VIRKO M. V. について
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS について
KOGOTKOV V. S. について
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS について
LEONIDOV A. A. について
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS について
VORONTSOV-VELYAMINOV P. N. について
St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS について
SHEREMET I. A. について
Financial Univ. under the Government of the Russian Federation, Moscow, RUS について
SHRETER Yu. G. について
Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS について
Semiconductors について
空乏層 について
窒化ガリウム について
Schottky障壁 について
ホッピング伝導 について
誘電緩和 について
化合物半導体 について
トンネル効果 について
電子 について
捕獲 について
電流電圧特性 について
容量電圧特性 について
トラップ【固体】 について
電子トンネリング について
半導体-金属接触 について
ダイオード について
GaN について
Schottky障壁 について
ホッピング伝導 について
誘電緩和 について