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J-GLOBAL ID：201702268614198072   整理番号：17A0544713

2D配位高分子ファミリーのためのビルディングブロックとしてのヘキサアミノベンゼン

Hexaaminobenzene as a building block for a Family of 2D Coordination Polymers

著者 (5件)： LAHIRI Nabajit (Univ. Utah, Utah, USA) ,  LOTFIZADEH Neda (Univ. Utah, Utah, USA) ,  TSUCHIKAWA Ryuichi (Univ. Utah, Utah, USA) ,  DESHPANDE Vikram V. (Univ. Utah, Utah, USA) ,  LOUIE Janis (Univ. Utah, Utah, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 139  号： 1  ページ： 19-22  発行年： 2017年01月11日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酢酸エチル中,ヘキサアミノベンゼンとM²⁺(acac)₂の反応によるボトムアップ法で,SiO²(300nm)/Si基板上にナノシートを形成した2D(ヘキサイミノベンゾセミキノナト-κN-メタル)配位高分子を得た(M²⁺=Ni²⁺,Cu²⁺,Co²⁺)。液-液界面反応および気-液界面反応で,1~2nmから<10nmに亘るナノシート厚みを持つ積層構造を調製し,六方晶ハニカム結晶格子を持つ構造をOM,FESEM,AFM,XPS,S/TEMで確認した。電子ビームリソグラフィでトップコンタクトおよびボトムコンタクトのNiデバイスを作り,バックゲート電圧(V_bg)を変えての電気抵抗とゲート電圧依存性コンダクタンスを測定していずれも同様な数値を得た。低いコンダクタンス(V_bg=0Vで6.6nS)を結晶欠陥と粒界に帰した。

シソーラス用語： 配位高分子 ,  *高分子錯体 ,  *ナノシート ,  *芳香族アミン ,  *コバルト錯体 ,  ウエハ【IC】 ,  電気抵抗 ,  コンダクタンス ,  *六方晶系 ,  *ニッケル錯体 ,  *銅錯体 ,  温度依存性 ,  電子ビームリソグラフィー ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  ゲート電圧

分類 (4件)： コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  芳香族単環アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF05050D) ,  誘電体一般  (BM05010F)

物質索引 (1件)： ヘキサアミノベンゼン

タイトルに関連する用語 (5件)： 2D ,  配位高分子 ,  ファミリー ,  ビルディング ,  ヘキサアミノベンゼン