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J-GLOBAL ID：201702268630888804   整理番号：17A0404111

多重アークイオンめっきにより蒸着したAl-Ti-N膜の微細構造と性質に及ぼす負バイアス電圧の影響【Powered by NICT】

Influence of negative bias voltage on microstructure and property of Al-Ti-N films deposited by multi-arc ion plating

著者 (6件)： Cai Fei (Research Center of Modern Surface and Interface Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan City, Anhui Province 243002, PR China) ,  Chen Mohan (Research Center of Modern Surface and Interface Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan City, Anhui Province 243002, PR China) ,  Chen Mohan (School of Materials Science and Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan City, Anhui Province 243002, PR China) ,  Li Mingxi (School of Materials Science and Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan City, Anhui Province 243002, PR China) ,  Zhang Shihong (Research Center of Modern Surface and Interface Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan City, Anhui Province 243002, PR China) ,  Zhang Shihong (School of Materials Science and Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan City, Anhui Province 243002, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 4  ページ： 3774-3783  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,マルチアークイオンめっき(MAIP)AlTiN膜の組成,堆積効率,微細構造,および機械的特性に及ぼす負バイアス電圧の影響を系統的に調べた。膜を,各負バイアス電圧でMAIPによる高速度鋼基板上に堆積した。結果はAl含有量[Al/(Al+Ti)比]と堆積効率は,負バイアス電圧の適用により有意に変化したことを示した。X線光電子分光分析は,AlTiN膜はTi-N及びAl-N結合から構成されていたことを示した。膜表面上のマクロ粒子(MP)は,負バイアス電圧の増加とともに減少した。も膜で発見されたMPの異なるタイプと膜の硬度を決定するプロセスに及ぼすそれらの影響を検討した。膜の微小硬さは負のバイアス電圧に依存する。 250Vで堆積した膜は,約45GPaの最大硬度を示した。付着及び摩擦試験は, 150Vで堆積した膜は0.23で最も高い耐亀裂性,78Nの臨界荷重下で最良の接着,最高の接着強さ,および摩擦の最低と安定係数を示したことを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐亀裂性 ,  *イオンめっき ,  硬度 ,  終局荷重 ,  機械的性質 ,  接着 ,  微小硬さ ,  接着強さ ,  高速度鋼 ,  X線 ,  摩擦試験 ,  *微細構造 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： *バイアス電圧 ,  *アークイオンプレーティング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  イオンめっき ,  押込(正常マイクロおよびナノ)接着 ,  X線光電子放出分光法(XPS)

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 多重 ,  アークイオンめっき ,  蒸着 ,  Al ,  Ti ,  微細構造 ,  性質 ,  バイアス電圧