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J-GLOBAL ID：201702268642482416   整理番号：17A0141979

Fan Out Wafer Level Package技術によるテラヘルツ対応アンテナ一体型モジュール

Terahertz Antenna Integration Module Using Fan-Out Wafer-Level Package Technology

著者 (2件)： 石橋大二郎 (富士通) ,  中田義弘 (富士通)
資料名： Fujitsu  (Fujitsu)
巻： 68  号： 1  ページ： 65-71  発行年： 2017年01月10日 
JST資料番号： F0397A  ISSN： 0016-2515  CODEN： FUJTA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 300GHzから3THzまでの超高周波領域に属するテラヘルツ波と呼ばれる電波は,超高速無線通信や高解像度なイメージセンサーへの応用が期待されている。このような周波数帯域では,半導体チップの接合に利用されるはんだ接合やワイヤボンディングなどの必要不可欠な構造が,モジュールの高周波特性に悪影響を与えることが知られている。筆者らは,それらの影響を抑制するモジュール構造として,次世代のパッケージング技術の一つであるFOWLP(Fan Out Wafer Level Package)を応用したテラヘルツ対応アンテナ一体型モジュール技術を開発した。異なる素子をモールド樹脂で一体化して封止し,再配線技術により素子間を短距離に接続するFOWLP技術を適用することによって,テラヘルツ波帯の周波数で動作する半導体チップとアンテナの接続構造の短距離化および低損失化を実現した。本稿では,FOWLP技術を応用したテラヘルツ対応アンテナ一体型モジュールについて述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *個数 ,  *ICパッケージ ,  *テラヘルツ波 ,  *アンテナ ,  *一体構造 ,  *回路モジュール ,  UHF【周波数】 ,  周波数特性 ,  包装技法 ,  成形充填 ,  半導体チップ
準シソーラス用語： *ファンアウト ,  *ウエハレベルパッケージ ,  高周波特性 ,  モールド充填

分類 (3件)： 混成集積回路  (NC03163K) ,  アンテナ  (ND06000M) ,  プリント回路  (NA05040O)

引用文献 (4件)：

• H. J. Song et al. : Present and future of terahertz communications. IEEE Trans. THz Sci. Technol., Vol.1, No.1, p.256-263 (September 2011).
• 総務省:周波数割当計画.2016年4月. http://www.tele.soumu.go.jp/j/adm/freq/search/share/plan.htm
• M. Asada et al. : THz oscillators using resonant tunneling diodes at room temperature. In Proc. IRMMW-THz 2010, p.1-3 (September 2010).
• T. Meyer et al. : Embedded Wafer Level Ball Grid Array (eWLB). Proc. 2008 10th Electron. Packag. Techn. Conf. (EPTC 2008), p.994-998 (December 2008).

タイトルに関連する用語 (4件)： テラヘルツ ,  アンテナ ,  体型 ,  モジュール