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J-GLOBAL ID：201702268677543222   整理番号：17A1639029

遷移金属二カルコゲン化物に基づく二重ゲート無接合電界効果トランジスタの量子バリスティック解析とナノバイオセンサーへの応用【Powered by NICT】

Quantum ballistic analysis of transition metal dichalcogenides based double gate junctionless field effect transistor and its application in nano-biosensor

著者 (3件)： Shadman Abir (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh) ,  Rahman Ehsanur (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh) ,  Khosru Quazi D.M. (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Bangladesh University of Engineering and Technology, Dhaka, Bangladesh)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 414-422  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 技術CMOS技術の状態における熱収支と短チャネル効果を低減するために,無接合電界効果トランジスタ(JLFET)は文献で提案されている。多数の実験的,モデリングおよびシミュレーションに基づく研究は,これまで種々の形状のバルク材料とこの新しいFETについて行った。一方,二次元層状材料は,その超薄ボディと高い移動度のため,現在のSi技術への代替法と考えられている。ごく最近主に従来FET上JLFETの利点を示すために単分子層二硫化モリブデンに基づくJLFETについて行われているいくつかのシミュレーションに基づく研究。しかし,包括的なシミュレーションに基づく研究は,著者らの知る限りでは顕著な遷移金属二カルコゲン化物(TMDC)を念頭に二重ゲートJLFETの行われていない。本研究では,非平衡Green関数(NEGF)フレームワーク内のこのようなFETの量子バリスティックドレイン電流-ゲート電圧特性を研究した。筆者らのシミュレーション結果は,これら全てのTMDC材料は,短いゲート長でのそれらの性能に重点を置いた技術無接合MOSFETの状態を実現するための実行可能な選択肢であることを明らかにした。ディジタル論理応用におけるTMDC材料の可能性を評価するのに加えて,乾燥環境における生体分子の無標識電気的検出のための無接合ダブルゲート三層TMDCヘテロ構造FETの性能は著者らの知る限り初めて調べた。バイオセンサの電気特性に及ぼす電荷中性生体分子の影響を乾燥した環境状況下で解析した。著者らの研究は,これらの材料がナノバイオセンサにおけるチャンネル材料,文献における絶縁体FETセンサに及ぼすけい素により示された傾向としてサブしきい値領域における高感度を提供することができることを示した。このように,これらの新規材料デバイスレベルでシリコン置換の傾向によって,TMDCヘテロ構造は電位差測定バイオセンシングのためのシリコンへの実行可能な代替法である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  モデリング ,  電気特性 ,  電荷 ,  MOSFET ,  移動度 ,  二次元 ,  ケイ素 ,  *バイオセンサ ,  シミュレーション ,  単分子層
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  生体分子 ,  二硫化モリブデン ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 2D材料 ,  NEGF ,  無接合FET ,  量子弾道シミュレーション ,  短チャネル効果 ,  Debyeスクリーニング ,  電位差測定バイオセンサ

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 遷移金属二カルコゲン化物 ,  二重ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  量子 ,  バリ ,  スティック ,  解析 ,  バイオセンサー ,  応用