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J-GLOBAL ID：201702268683191047   整理番号：17A1258274

プラズマ処理時のSi基板中の欠陥発生:モデル予測と特性評価技術【Powered by NICT】

Defect generation in Si substrates during plasma processing: Model prediction and characterization techniques

著者 (1件)： Eriguchi Koji (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto-daigaku Katsura, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8540, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IWJT  ページ： 69-72  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ULSI回路の高い性能の需要増加は,Mooreの法則にしたがってデバイスフィーチャサイズの積極的な収縮を必要とする。プラズマ処理は金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の異方性の特徴を持つ微細パターンを達成するのに重要な役割を果たしている。プラズマプロセシングにおける進歩にもかかわらず,プラズマ曝露による材料特性の劣化が重要な問題となっている。このような劣化機構 プラズマ処理の負の側面 は通常「プラズマ誘起損傷」と呼ばれる[1+2]。一般に,プラズマ誘起損傷(PID)は,その生成の機構[2],すなわち,「帯電損傷」,「照射損傷」,「物理的損傷」をもとに三タイプに分類される。帯電損傷[3]は,MOSFETにおける誘電体材料に流入するプラズマからの伝導電流により誘導されたが,照射損傷は材料[4]における高エネルギー光子相互作用によって引き起こされる。物理的損傷はSi基板または他の材料表面への高エネルギーイオン照射により誘起される。イオン衝撃損傷は,表面改質領域を形成し,領域下の局所欠陥構造が形成した。最近Si基板中に生成した欠陥は,いわゆるSiリセス[5+6]およびMOSFETの性能劣化[7 9]の原因であると考えられている。このプラズマ誘起物理的損傷(PPD)をに関する重要な関心事の一つは,損傷発生機構は,基本的なプラズマパラメータによって支配されるという事実である,換言すれば,損傷は自然デバイスフィーチャサイズに対応しなかった。プラズマ処理中のSi基板では,特に,材料中の欠陥発生のモデリングと特性評価の概観を提供する。三次元構造と回復過程における損傷発生-新興主題のいくつかは将来の展望として議論されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 異方性 ,  *キャラクタリゼーション ,  *プラズマ ,  半導体 ,  電流 ,  プラズマ曝露 ,  超LSI ,  モデリング ,  帯電 ,  照射損傷 ,  MOSFET ,  相互作用 ,  酸化物 ,  誘電材料
準シソーラス用語： *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ処理 ,  Si基板 ,  欠陥 ,  モデル予測 ,  特性評価