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J-GLOBAL ID：201702268698146425   整理番号：17A1398608

電気的にストレスを受けた酸化物中の電子のトラッピングとデトラッピングモデル【Powered by NICT】

Electron trapping/detrapping model in electrically stressed oxide

著者 (5件)： Wang Hongyi (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Li Cong (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Zhang Bingbing (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Xu Shunqiang (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Zheng Liming (College of Electronic Science and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICOIP  ページ： 60-63  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的に応力を加えた酸化物中の電子トラッピング/脱トラッピングの物理的モデルを提案した。新しいモデルは非弾性多重フォノントラップ支援トンネリングと熱放出の両方に基づいており,酸化物バルクトラップの捕獲効果をも考慮した。電子のトラップ捕獲と放出の動的手順を確立した。最後に,任意の応力,任意の時間の全ての酸化物トラップの充填状態であるフローティングゲート不揮発性メモリの耐久性とデータ保持特性のモデル化のための非常に有用な正確かつ効果的に得ることができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非弾性 ,  捕獲 ,  多重化 ,  フローティングゲート ,  *酸化物 ,  モデリング ,  トンネル効果 ,  不揮発性メモリ ,  熱放射 ,  耐久性
準シソーラス用語： データリテンション ,  *トラッピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ストレス ,  酸化物 ,  電子 ,  トラッピング