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J-GLOBAL ID：201702268797930443   整理番号：17A1554050

エピタキシャルGa_2O_3/Gaに基づく自己出力型深紫外光検出器:ZnOヘテロ接合【Powered by NICT】

A self-powered deep-ultraviolet photodetector based on an epitaxial Ga₂O₃/Ga:ZnO heterojunction

著者 (8件)： Wu Zhenping (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications & School of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Jiao Lei ,  Wang Xiaolong ,  Guo Daoyou ,  Li Wenhao ,  Li Linghong ,  Huang Feng ,  Tang Weihua
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 34  ページ： 8688-8693  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部電源の独立して機能する深紫外光検出器(DUV PD)は小型,便利で省電力の観点から次世代光検出応用のために望ましい急務である。本研究では,格子適合半導体Ga:ZnOを導入することにより,レーザ分子ビームエピタクシーを用いて達成される高品質βGa_2O_3/Ga:ZnOヘテロ接合に基づくDUV PD。得られた素子は優れた波長選択性,高いオン/オフ比,高いDUV/可視排除比,及び254nm光照射下で高い安定性を有する自己出力モードで動作できる。観察の原因となる物理的機構はビルトイン電場下の空乏領域で分離された光生成電子-正孔対に基づいて議論した。著者らの研究はさらに,高性能自給DUV PD応用への新しい洞察を提供するかもしれない。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  半導体 ,  電子正孔対 ,  *光検出器 ,  光照射 ,  光生成 ,  MBE成長 ,  *酸化亜鉛 ,  *光検出
準シソーラス用語： 空乏領域 ,  内部電場 ,  波長選択 ,  高品質 ,  省電力 ,  *深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 分析機器  (CC02020S) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  Ga ,  自己 ,  深紫外 ,  光検出器 ,  ZnO ,  ヘテロ接合