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J-GLOBAL ID：201702268821820612   整理番号：17A1350199

Ga_2O_3トレンチMOS型Schottky障壁ダイオードの実証【Powered by NICT】

Demonstration of Ga₂O₃ trench MOS-type Schottky barrier diodes

著者 (7件)： Sasaki K. (Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan) ,  Wakimoto D. (Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan) ,  Thieu Q. T. (Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan) ,  Koishikawa Y. (Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan) ,  Kuramata A. (Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan) ,  Higashiwaki M. (National Institute ofinformation and Communications Technology, Koganei, Tokyo, 184-8795, Japan) ,  Yamakoshi S. (Novel Crystal Technology, Sayama, Saitama, 350-1328, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は優れた材料特性と量産性を持つのでβGa_2O_3は次世代高出力デバイスに適した材料である。過去では,主に熱電子電界放出(TFE)漏れ電流により制限されたほぼ理想的な逆特性を持つ電界めっきGa_2O_3Schottky障壁ダイオード(SBD)を実証した。[1]しかし,TFE電流,漏れ電流,Schottky金属/半導体界面で大きな電場のために,非常に大きかった。接合障壁制御Schottky構造またはトレンチMOS障壁構造を導入した電場[2]を減少させる有効な方法である。本研究では,著者らは初めてGa_2O_3トレンチMOS型SBD(MOSSBDs)を開発することに成功し,その特性を検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  大量生産 ,  電場 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  めっき ,  電界放出 ,  電流
準シソーラス用語： 金属-半導体界面 ,  高出力 ,  材料特性 ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トレンチ ,  MOS ,  Schottky障壁ダイオード ,  実証