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J-GLOBAL ID：201702268874971637   整理番号：17A0641770

ナフトキシチオフェンジイミド-ベンゾチアジアゾール系高分子:電界効果トランジスタおよび熱電素子用の多用途n型材料

Naphthodithiophenediimide-Benzobisthiadiazole-Based Polymers: Versatile n-Type Materials for Field-Effect Transistors and Thermoelectric Devices

著者 (7件)： WANG Yang (RIKEN, Saitama, JPN) ,  WANG Yang (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NAKANO Masahiro (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MICHINOBU Tsuyoshi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KIYOTA Yasuhiro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MORI Takehiko (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKIMIYA Kazuo (RIKEN, Saitama, JPN)
資料名： Macromolecules  (Macromolecules)
巻： 50  号： 3  ページ： 857-864  発行年： 2017年02月14日 
JST資料番号： B0952A  ISSN： 0024-9297  CODEN： MAMOBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナフト[2,3-b:6,7-b′]ジチオフェンジイミド(NDTI)およびベンゾ[1,2-c:4,5-c′]からなる新しい電子親和力を有するπ共役高分子,PNDTI-]ビス[1,2,5]チアジアゾール(BBT)単位を合成した。より良好な結晶秩序を有するPNDTI-BBT-DPフィルムは,過剰ドーピングを防止し,20倍高い導電率および力率であった。さらに,UV-visおよびESRスペクトルは,ドーピングの有効性がアルキル基によって大きく影響を受けることを示した。アルキル側鎖により分子間相互作用を調整し,規則的な高分子を有する薄膜は,優れた熱電材料を開発するための有望な戦略である。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *熱電素子 ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  *導電性高分子 ,  *ドーパント ,  *輸送係数 ,  高分子薄膜 ,  ドーピング ,  電気的性質 ,  アルキル基 ,  有機半導体 ,  *電気化学的挙動 ,  ジイミド ,  X線回折 ,  近赤外スペクトル ,  ポリベンゾビスチアゾール
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  π共役高分子 ,  チアジアゾール類 ,  ナフタレン誘導体 ,  OFET ,  ベンゾチアジアゾール誘導体 ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子 ,  電界効果トランジスタ ,  熱電素子 ,  用途 ,  型材料