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J-GLOBAL ID：201702268901482854   整理番号：17A1359862

スニークパスとMLC能力に優れた免疫を特徴とする純CMOS論理14nm FinFETプラットフォーム上のフラッシュRRAMの最初の実証【Powered by NICT】

First demonstration of flash RRAM on pure CMOS logic 14nm FinFET platform featuring excellent immunity to sneak-path and MLC capability

著者 (13件)： Hsieh E. R. (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Kuo Y. C. (Department of Mechatronic Engineering, National Taiwan Normal University, Taiwan) ,  Cheng C. H. (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Kuo J. L. (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Jiang M. R. (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Lin J. L. (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Cheng H. W. (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Chung Steve S. (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Liu C. H. (Department of Mechatronic Engineering, National Taiwan Normal University, Taiwan) ,  Chen T. P. (United Microelectronics Corporation (UMC), Taiwan) ,  Yeah Y. H. (United Microelectronics Corporation (UMC), Taiwan) ,  Chen T. J. (United Microelectronics Corporation (UMC), Taiwan) ,  Cheng Osbert (United Microelectronics Corporation (UMC), Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Technology  ページ： T72-T73  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初めて,イオン空格子点ベースバイポーラRRAMはFEOL論理14nm FinFETのHKMGスタック上で実証した。二つの同一のFinFET,制御トランジスタと他の一つとしてを有する単位セルは抵抗スイッチングと貯蔵である。エッジトンネリングおよびバイポーラスイッチングを用いて行った。より重要なことは,このFinFET単位セルに基づくANDアレイにおけるスニークパス問題は十分に研究されている。スニークパス問題を解決するために,ANDアレイにおけるFinFETの新しいアクティブフィン分離(AFI)を提案した。この新しいAFIは効果的に10~3のS/Nマージンを増加し,30%の待機電力と有効電力99%の,元のANDアレイに比べて有意に減少させた。よりよりMoore時代の完全CMOS互換集積化と低コスト解を特徴とするFinFETプラットフォームに埋め込まれたフラッシュメモリのための有望な候補を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 有効電力 ,  *CMOS ,  トランジスタ ,  フラッシュメモリ
準シソーラス用語： 待機電力 ,  抵抗スイッチング ,  FEOL ,  *ReRAM ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 能力 ,  免疫 ,  CMOS ,  論理 ,  FinFET ,  プラットフォーム ,  フラッシュ ,  RRAM ,  実証