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J-GLOBAL ID：201702268930523246   整理番号：17A1358049

モノリシックMEMSによるシリコンナノワイヤの圧電抵抗特性【Powered by NICT】

Piezoresistivity characterization of silicon nanowires through monolithic MEMS

著者 (3件)： Nasr Esfahani Mohammad (Department of Mechanical Engineering, Koc, University, Istanbul Turkey) ,  Leblebici Yusuf (Microelectronic Systems Laboratory, EPFL, Lausanne, Switzerland) ,  Alaca B. Erdem (Department of Mechanical Engineering, Surface Science and Technology Center, Koc, University, Istanbul Turkey)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NEMS  ページ： 77-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)を持つけい素ナノワイヤー(Si NWs)の統合のためのモノリシックアプローチを提案した。プロセスは,同じシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハ上に厚さ10μmのMEMSを用いたSi NWのCo製造の事例について示した。MEMS静電アクチュエータを用いた特性化プラットフォームの形で設計し,単一のSi NWで張られた機械的増幅器。統合プラットフォームは均一な一軸性応力下のSi NWピエゾ抵抗ゲージ因子(GF)の成功した測定に利用されている。この分野における利用可能な技術は,以下である:1)ストレスへの負荷の変換のための厳密なモデルを必要とするSi NWの間接(基板)あるいは直接(アクチュエータ)曲げ,ii)MEMS上のSi NWのナノ操作と付着,非単独法残留応力とアラインメントの問題を提起している,および3)Si NWとMEMSのための分離したSi層を有する不均一集積,単一SOIは最終製品に十分ではない。マイクロとナノスケール要素の統合へのモノリシック溶液を,提示した技法は,同様の研究の欠点を検討することに成功した。電気機械特性評価のための解を提供することに加えて,この技術はバッチ互換形態で製造したマルチスケール,機能デバイスのための有望な経路を示し,同じSi結晶内のCo製造を促進する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶 ,  ケイ素 ,  一軸 ,  *MEMS ,  残留応力 ,  キャラクタリゼーション ,  モデル ,  機能素子 ,  アラインメント ,  電気機械 ,  アクチュエータ
準シソーラス用語： ナノスケール ,  静電アクチュエータ ,  *圧電抵抗 ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： MEMS ,  シリコンナノワイヤ ,  圧電 ,  抵抗特性