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J-GLOBAL ID：201702269019105145   整理番号：17A0590989

フレキシブル基板上で製作された抵抗スイッチングメモリ素子の曲げ性能に及ぼす素子サイズと材料の効果

Effects of device size and material on the bending performance of resistive-switching memory devices fabricated on flexible substrates

著者 (2件)： Lee Won-Ho (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi 446-701, South Korea) ,  Yoon Sung-Min (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi 446-701, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 19  ページ： 192103-192103-5  発行年： 2017年05月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *フレキシブル基板 ,  *記憶装置 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  酸化亜鉛 ,  微結晶 ,  半導体薄膜 ,  *曲げ
準シソーラス用語： AZO ,  IGZO【半導体】 ,  *抵抗スイッチングメモリ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： フレキシブル基板 ,  製作 ,  抵抗スイッチング ,  メモリ素子 ,  曲げ ,  サイズ