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J-GLOBAL ID：201702269023822568   整理番号：17A1355009

ミスト化学蒸着による立方晶(111)GGG基板上のεGa_2O_3薄膜のヘテロエピタキシャル成長【Powered by NICT】

Heteroepitaxial growth of ε-Ga₂O₃ thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition

著者 (4件)： Tahara Daisuke (Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan) ,  Nishinaka Hiroyuki (Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan) ,  Morimoto Shota (Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan) ,  Yoshimoto Mashahiro (Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology, 606-8585, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMFEDK  ページ： 48-49  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロエピタキシャルεGa_2O_3薄膜をミストCVDによる(111)GGG基板上に成長させることができることを示した。εGa_2O_3薄膜と(111)GGG(Gd3Ga5O12)基板間の面外および面内エピタキシャル関係はXRD2θ-ωとφ走査により(0001)εGa_2O_3[10 10]∥(111)GGG[-1 12]であると決定した。これはミストCVDによる(111)GGG基板上にεGa_2O_3薄膜のヘテロエピタキシャル成長に関する最初の報告である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *エピタクシー ,  *ミスト ,  *化学蒸着 ,  走査
準シソーラス用語： ミストCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ミスト ,  化学蒸着 ,  立方晶 ,  GGG ,  薄膜 ,  成長