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J-GLOBAL ID:201702269057368997   整理番号:17A1258635

高容積半導体製造におけるSNV欠陥率とウエハTATの低減【Powered by NICT】

Reducing SNV defect rates and wafer TAT in high volume semiconductor manufacturing
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: MIPRO  ページ: 178-180  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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半導体業界では,ランプ製造製造設備は資本設備の生産性の最大化に向けて作業している。ICファブ検査およびレビューシステムは欠陥エクスカーションを認識する確実かつ迅速に,根本原因欠陥分析を容易にし,より速く,より効率的に機能した。[1]Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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