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J-GLOBAL ID：201702269220250759   整理番号：17A0445824

応答曲面法を用いた先端半導体製造のためのタングステンCMPスラリーの多目的最適化【Powered by NICT】

Multi-objective optimization of tungsten CMP slurry for advanced semiconductor manufacturing using a response surface methodology

著者 (9件)： Seo Jihoon (Department of Energy Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Kim Joo Hyun (Department of Energy Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Lee Myoungjae (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  You Keungtae (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Moon Jinok (Department of Energy Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Moon Jinok (Clean/CMP Technology Team, Memory, Samsung Electronics, Hwaseong, South Korea) ,  Lee Dong-Hee (College of Interdisciplinary Industrial Studies, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Paik Ungyu (Department of Energy Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea) ,  Paik Ungyu (Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, South Korea)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 117  ページ： 131-138  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,面心立方体設計(FCD)と組み合わせた応答曲面法(RSM)を用いてW障壁化学機械平坦化(CMP)プロセス用の研磨スラリー中の三種の主成分(すなわち,Fe(NO_3)3,H_2O_2,SiO_2研磨材)を最適化した。三成分の実験範囲はFe(NO_3)3の10~50ppm,0.3 0 0.9wt%H_2O_2,1~5wt%SiO_2研磨剤であった。FCDからの実験データに基づいて,Wと酸化物膜の材料除去速度(MRR)のための二次モデルを適合させた;これらは統計的に有効かつ信頼性があると決定した。MRRを最大化し,三成分の最適条件を達成した,Wおよび酸化物MRR間の選択性は約1であった。最適条件で予測されたMRRと選択性は確認操作,Wパターン形成ウエハを用いたW障壁CMPプロセスを用いて行った結果と良く相関した。さらに,MRRと選択性の間のトレードオフを調べるために,二重応答最適化と呼ばれる特定のRSMを採用した。トレードオフ情報に基づいて,プロセス技術者はより柔軟に三成分の最適化を行うことができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 研削材 ,  パターン形成 ,  *最適化 ,  *タングステン ,  化学機械研磨 ,  研磨剤 ,  *スラリー ,  最適条件 ,  研磨 ,  *応答曲面法 ,  酸化膜 ,  酸化物
準シソーラス用語： 材料除去 ,  *多目的最適化 ,  *半導体製造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 化学機械的平坦化 ,  Optimization ,  応答曲面法 ,  Slurries ,  半導体製造プロセス

分類 (2件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  溶接技術  (WC07030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応答曲面法 ,  半導体製造 ,  タングステン ,  CMP ,  スラリー ,  多目的最適化