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J-GLOBAL ID：201702269233484376   整理番号：17A0400505

加齢に伴うInGaN系LEDパッケージの電気的パラメータの解析【Powered by NICT】

Analysis of electrical parameters of InGaN-based LED packages with aging

著者 (2件)： Jayawardena Asiri (Lighting Research Center, Rensselaer Polytechnic Institute, 21 Union Street, Troy, NY 12180, USA) ,  Narendran Nadarajah (Lighting Research Center, Rensselaer Polytechnic Institute, 21 Union Street, Troy, NY 12180, USA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 66  ページ： 22-31  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光ダイオード(LED)を一般照明空間における成熟した技術になっているので,低コストで高い光出力を得るために高い電流密度と温度でLEDを操作する傾向がある。さらに,ユーザへの予防保全能力を提供する知的照明プラットフォーム開発者間で興味が持たれている。既存の使用寿命予測モデルはパラメトリック故障に基づくLED寿命を定義しが,壊滅的な破壊,LEDパッケージ中の成分の分解と起こりうるに基づく有用な寿命予測モデルが必要である。,特にパッケージ直列抵抗,電気的パラメータは,LEDパッケージ健康(すなわち,残存有効寿命)の良好な指標であり,応用における実時間センシングできる可能性がある。本研究では,壊滅的な破壊まで直列抵抗変動パターンは種々の電流および温度ストレス条件で測定した。変動の各段階での劣化機構を説明し,利用可能なモデルを用いて,活性化エネルギーと指数を抽出した。実験データは,半導体へのコンタクトメタライゼーション層からのエレクトロマイグレーション誘起金属移動は,LEDパッケージの短絡壊滅的な破壊の原因であることを示唆する。理想因子と逆方向漏れ電流の変動パターンはこの仮説を支持する。提示された情報は,電流と温度ストレス下でのLEDパッケージの壊滅的な寿命推定モデルを開発するために使用できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 予測モデル ,  発光ダイオード ,  エレクトロマイグレーション ,  耐用年数 ,  電流密度 ,  予防保全 ,  活性化エネルギー ,  *寿命予測 ,  電流 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 理想因子 ,  劣化機構 ,  温度ストレス ,  直列抵抗 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： LEDパッケージ ,  破局的破壊 ,  直列抵抗 ,  エレクトロマイグレーション ,  金属拡散 ,  Ohm接触

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 加齢 ,  InGaN ,  LED ,  パッケージ ,  パラメータ ,  解析