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J-GLOBAL ID：201702269302849529   整理番号：17A1258607

エピタキシャル成長した半導体の格子欠陥のテラヘルツマルチスペクトルイメージング【Powered by NICT】

Terahertz multispectral imaging of epitaxially grown semiconductors’ lattice defects

著者 (1件)： Rahman Anis (Applied Research & Photonics, Inc., 470 Friendship Road, Suite 10, Harrisburg, PA 17111, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MIPRO  ページ： 45-50  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si<100>基板上にエピタキシャル成長させたSiGeとGe層はテラヘルツマルチスペクトル再建3Dイメージング技術により解析した。特に,両試料の3D画像を非接触と非破壊法により作成し,テラヘルツ再建イメージングアルゴリズムを用いて解析した。再建イメージングのためのここで採択された「電力方程式への逆距離と格子」のアルゴリズムは同一試料のTEM像と良く一致によって示されるように結果を正確に再現できることがわかった。3Dおよび2D画像の両方を,それぞれの層の厚さを求めるための図式的方法により分析した。結果はTEM像と比較した。テラヘルツおよびTEMの両方の結果は良く一致することが分かった。さらに,イメージング技術は,SiGeエピ層中に存在する<1nmの小さい特徴のサイズを検出し,定量化することができた。添加では,格子積層欠陥と転位も可視化し,同定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  積層欠陥 ,  *半導体 ,  アルゴリズム ,  三次元 ,  可視化 ,  *テラヘルツ波 ,  *格子欠陥 ,  画像 ,  画像技術 ,  *画像処理
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  非接触 ,  三次元画像 ,  シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： エピタキシャル成長 ,  格子欠陥