文献

J-GLOBAL ID：201702269308102485   整理番号：17A1556254

BiCMOS55nmにおけるその場雑音の特性化のための140GHzから160GHz能動インピーダンスチューナ【Powered by NICT】

A 140 GHz to 160 GHz active impedance tuner for in-situ noise characterization in BiCMOS 55 nm

著者 (8件)： Bouvot Simon (IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France) ,  Goncalves Joao Carlos Azevedo (IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France) ,  Bossuet Alice (IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France) ,  Quemerais Thomas (STMicroelectronics, 12 rue Jules Horowitz, 38000 Grenoble, France) ,  Lepilliet Sylvie (IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France) ,  Ducournau Guillaume (IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France) ,  Danneville Francois (IEMN, UMR CNRS 8520, Avenue Poincare ́ - CS 60069, 59652 Villeneuve-d’Ascq, France) ,  Gloria Daniel (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFIT  ページ： 153-155  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波能動インピーダンスチューナをその場雑音の特性化用のSTMicroelectronics社製BiCMOS55nm技術に実装した。提案した回路は,11dBの利得と150GHzで 7.5dBのNF64状態受動インピーダンスチューナを搭載した二段低雑音増幅器から構成されている。活性可同調回路は,反射係数Γ>0.5と140~160GHzの周波数範囲で 7dBおよび+4.5dBのS_21パラメータを提供した。146GHzで,雑音指数は8dBから10.5dBまでであった。コア面積は0.336mm~2であった。雑音とSパラメータのその測定した性能は,その統合は,シリコン上のその場雑音特性ベンチで可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： EHF波 ,  反射率 ,  ケイ素 ,  利得 ,  周波数 ,  *雑音 ,  雑音特性 ,  低雑音増幅器 ,  雑音指数 ,  *キャラクタリゼーション ,  同調
準シソーラス用語： Sパラメータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 雑音 ,  特性化 ,  インピーダンス ,  チューナ