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J-GLOBAL ID：201702269324271432   整理番号：17A1038170

ロバストなカーボンナノチューブNFETの接触工学とチャネルドーピング【Powered by NICT】

Contact engineering and channel doping for robust carbon nanotube NFETs

著者 (6件)： Jianshi Tang (IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  Farmer Damon (IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  Bangsaruntip Sarunya (IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  Kuan-Chang Chiu (IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  Kumar Bharat (IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  Shu-Jen Han (IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,著者らは,ロバストなカーボンナノチューブ(CNT)n型電界効果トランジスタ(NFET)のいくつかの戦略を提示した。一つの方法は,このような容易に酸化される接触の側壁を保護するために予め定義された酸化物トレンチを用いながらNFET動作のためのCNTへの電子注入を可能にする低仕事関数金属接触を用いた。側壁保護NFETは数か月にわたって安定であることを示した。接触長さスケーリング研究は接触のサイズが小さくなると急速に増大することが大きな接触抵抗,おそらく乏しい界面濡れに起因することを明らかにした。薄いTi層は有意にCNTに及ぼす接触濡れを強化し,デバイス性能を改善することを示した。もう一つのアプローチはCNTチャネルの頂部に堆積した層からの電荷移動ドーピングを含んでいる。異なるドーピング層と蒸着条件からの結果を提示し,比較した。CNT薄膜トランジスタ(TFT,輸送は接触により制限されない)のような応用のために,このようなチャネルドーピング技術がNFETを形成するために必要である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： チタン ,  蒸着 ,  接触抵抗 ,  *ロバスト性 ,  *チャネル ,  薄膜トランジスタ ,  界面 ,  FET【トランジスタ】 ,  電荷移動 ,  仕事関数 ,  濡れ ,  酸化物 ,  高速度
準シソーラス用語： 電子注入 ,  トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 工業・技術設計  (HA05000Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ロバスト ,  カーボンナノチューブ ,  工学 ,  チャネル ,  ドーピング