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J-GLOBAL ID：201702269448404279   整理番号：17A0400985

結晶シリコン上のゲルマニウム膜の固相結晶化【Powered by NICT】

Solid phase crystallization of germanium films on crystalline silicon

著者 (3件)： Kuroiwa Kyota (Course of Electrical and Electronic System, Graduate School of Engineering, Tokai University, Kitakaname 4-1-1, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Kaneko Tetsuya (Course of Electrical and Electronic System, Graduate School of Engineering, Tokai University, Kitakaname 4-1-1, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Isomura Masao (Course of Electrical and Electronic System, Graduate School of Engineering, Tokai University, Kitakaname 4-1-1, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 621  ページ： 207-210  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は二酸化ケイ素(SiO_2)ストライプ構造を持つ単結晶シリコン(c Si)基板上の非晶質ゲルマニウム(a Ge)前駆体の横方向固相結晶化(SPC)を調べた。a-Ge層は100°CでSiO_2ストライプとc-Si上に堆積し,SPCは375 385°Cで行った。a-Ge層の結晶化はc-Si基板上に核形成しただけで,このようにして,優先的な結晶成長はc-Si基板の正常方向に沿って起こり,SiO_2層上のa-Ge層上に核形成したGe層の結晶化しなかった,Si/SiO_2境界近傍を除いて。結果として,SiO_2ストライプ上のc-Si上のa-Ge膜からのSPCによる大結晶粒径のc-Geの横方向の優先的な結晶成長を得た,SiO_2上のa-Geの優先的結晶成長距離は3から5μmに増加し,焼なまし温度が375から385°Cに増加したときCopyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  *固相 ,  結晶粒径 ,  核形成 ,  *結晶化 ,  非晶質 ,  結晶成長 ,  二酸化ケイ素 ,  前駆体 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 焼きなまし温度 ,  二層 ,  単結晶シリコン ,  ストライプ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： キーワードゲルマニウム ,  固相結晶化 ,  薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶シリコン ,  ゲルマニウム ,  固相 ,  結晶化