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J-GLOBAL ID：201702269539379885   整理番号：17A1186005

走査電子顕微鏡における後方散乱電子イメージングによる電子透過試料の組成定量化【Powered by NICT】

Composition quantification of electron-transparent samples by backscattered electron imaging in scanning electron microscopy

著者 (2件)： Mueller E. (Laboratory for Electron Microscopy, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Engesserstr. 7, 76131 Karlsruhe, Germany) ,  Gerthsen D. (Laboratory for Electron Microscopy, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Engesserstr. 7, 76131 Karlsruhe, Germany)
資料名： Ultramicroscopy  (Ultramicroscopy)
巻： 173  ページ： 71-75  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0972A  ISSN： 0304-3991  CODEN： ULTRD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料系に関するいくつかの情報が入手可能であれば,走査電子顕微鏡(SEM)の後方散乱電子(BSE)像のコントラストは組成定量のための利用できる材料パラメータに依存する。例として,GaAsマトリックス中に埋め込まれた薄いIn_xGa_1xAs層中のIn濃度は本研究で解析した。技術の空間分解能はバルク試料の代わりに薄い透明試験片を用いて改善された。BSEは環状半導体検出器による比較的小さい角度範囲で検出されるが,画像強度は,試料の組成および局所的な厚さを決定するために評価することができた。測定された強度は検出および増幅系の影響を排除するために1つの単一画像内で較正した。定量は,実験データと計算データの比較によって行った。時間のかかるモンテカルロシミュレーションを用いる代わりに,単一電子散乱と電子拡散を考慮したBSE強度計算に適用した解析モデル。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 画像 ,  コントラスト ,  空間分解能 ,  *走査電子顕微鏡 ,  半導体検出器 ,  *後方散乱 ,  *散乱 ,  ヒ化ガリウム ,  解析モデル ,  *画像処理 ,  インジウム
準シソーラス用語： 電子拡散 ,  単一電子 ,  モンテカルロシミュレーション ,  材料パラメータ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 走査型電子顕微鏡観察 ,  後方散乱電子 ,  低電子エネルギー ,  組成定量化 ,  InGaAs

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B)

タイトルに関連する用語 (8件)： 走査電子顕微鏡 ,  後方散乱 ,  電子 ,  イメージング ,  透過 ,  試料 ,  組成 ,  定量化