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J-GLOBAL ID：201702269625260802   整理番号：17A0002404

プラズマスパッタリングによるSiおよびSiO₂基板上に成長したシリコンナノワイヤ

Silicon Nanowire Growth on Si and SiO₂ Substrates by Plasma Sputtering

著者 (7件)： TAKESHITA C. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YAMADA I. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HIRANO Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NISHIMURA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAO Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ERIGUCHI K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONO K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 37th  ページ： 139-140  発行年： 2015年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ナノワイヤ ,  ケイ素 ,  *スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  プラズマ ,  二酸化ケイ素 ,  基板 ,  *薄膜成長

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマスパッタリング ,  Si ,  SiO2 ,  成長 ,  シリコンナノワイヤ